北京双掺CeYAG晶体性能

CeYAG晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能，采用温梯法生长了CeYAG晶体和真空烧结法制备了CeYAG透明陶瓷，并对晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能进行了对比研究.CeYAG晶体和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+离子的特征吸收带和540nm附近的发射峰，但CeYAG晶体同时存在296和370nm的色心吸收，其发射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶体和陶瓷的X射线荧光中均存在520nm附近的Ce3+离子发射，但晶体中还存在由反格位缺陷引起的300nm的发射.CeYAG晶体和陶瓷的光产额分别为16800和9800photons/MeV，纳秒灯激发下的荧光寿命分别为61.9和62.97ns.CeYAG晶体与陶瓷相比，具有高的光产额和快的荧光衰减特性。Ce:YAG晶体抛光难度大吗？北京双掺CeYAG晶体性能

利用提拉法生长出的品质高的CeYAG闪烁晶体开展了高分辨率X射线成像系统关键器件——闪烁体研制工作，成功制备了尺寸为Φ30mm，厚度为30-45μm的品质高的闪烁晶体元件，并研制出基于超薄CeYAG闪烁晶体的高分辨X光探测器，实现X光辐照条件下高分辨成像。CeYAG作为闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，并且它的发光峰(550nm)能很好的与光电二极管的灵敏波长配合，适合于在用光电二极管作为光探测器和探测轻带电粒子时使用。且不潮解、耐高温、热力学性能稳定，可以应用于极端的探测环境中。北京双掺CeYAG晶体性能CeYAG闪烁晶体开展了高分辨率X射线成像系统关键器件——闪烁体研制工作。

发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。研究表明，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。 结果表明温梯法生长的Ce: YAG 晶体在高能射线和中子探测方面具有较大的应用价值。

物质的有效原子序数可由公式计算：式中，Wi为构成晶体的原子I的重量百分比，Zi为构成晶体的原子I的有效原子数。从公式中可以看出，大的有效原子序数往往与重密度不一致。此外，在许多场合下，经常使用吸收系数()、辐射长度(X0)和摩尔半径(RM)来代替晶体的有效原子序数或密度来表征无机闪烁晶体的性能。这些性能参数与晶体的密度()和有效原子序数(z)之间的关系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶体中的电子密度和吸收截面，a是原子量)当I (t)=i0/e时，t=就是所谓的光衰减常数。CeYAG晶体具有高的发光效率和宽的光脉冲。

电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发，电子-电子和电子-声子的弛豫，以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知，高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反，它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时，主要发生光电效应，即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。Ce:YAG属于无机闪烁体。湖南CeYAG晶体供应商

闪烁晶体是在高能射线的前提下形成的。北京双掺CeYAG晶体性能

Ce:YAG晶体的光学吸收谱多少？铈离子掺杂的铝酸钇（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和钇铝石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高温闪烁晶体不仅具有高光输出和快衰减的闪烁特性（见表1－9），而且YAP和YAG基质晶体还具有优良的物理化学特性（基本物理化学特性见表1-10）。它们的缺点是密度低有效原子序数小，但是它们可以广泛应用在中低能量射线和粒子探测领域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是较为典型的两种高光输出快衰减高温无机闪烁晶体，对它们的生长特征、晶体缺陷以及光学闪烁性能等的研究，对研究和探索其它铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有重要借鉴意义。北京双掺CeYAG晶体性能

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